| Numéro d'article | Fabricant / marque | Brève description | État de la pièce | FET Type | La technologie | Drain à la tension de source (Vdss) | Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs (th) (Max) @ Id | Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | FET Caractéristique | Dissipation de puissance (Max) | Température de fonctionnement | Type de montage | Package de périphérique fournisseur | Paquet / cas |
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| Renesas Electronics America Inc. | MOSFET N-CH LGA | Obsolete | |||||||||||||||||
| Renesas Electronics America Inc. | IC MOSFET N-CH | Last Time Buy | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 5.5V | 12A (Ta) | 3.5V, 4.5V | 2.4 mOhm @ 12A, 4.5V | 800mV @ 250µA | 6nC @ 3.5V | ±5.5V | 940pF @ 5.5V | 2.5W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-WLCSP (1.47x1.47) | 6-SMD, No Lead |